TEC04-Nanoelectrónica
Terapias avanzadas y Tecnologías Biomédicas / IBS-TEC04
La Electrónica es la ciencia que estudia y facilita el control del flujo de electrones a través del vacío, gases, líquidos y sólidos. Debido a su pequeña masa, los electrones responden con rapidez a campos eléctricos o magnéticos que se pueden aplicar de forma controlada con fuentes de voltaje, imanes permanentes, electroimanes, etcétera. Esto los convierte en partículas idóneas para la transmisión de energía. Si, además, la corriente de electrones se modula a voluntad formando pulsos eléctricos (paquetes formados por muchos electrones) podemos transmitir información usando ciertos códigos como ocurre con las transmisiones telegráficas, telefónicas o telemáticas. Los electrones también pueden acelerarse fácilmente, provocando la emisión de ondas electromagnéticas. Estas ondas también son capaces de transmitir señales e información a grandes distancias. Esta facilidad para controlar el movimiento de los electrones ha inspirado y motivado a miles de científicos e ingenieros para construir equipos capaces de producir, detectar y manipular a voluntad las corrientes de electrones. Cuanto más pequeños son estos dispositivos de control, más pequeña es la distancia que recorren los electrones, más rápido se transmite la información y menor es el consumo de energía. Por lo tanto, la idea es reducir el tamaño de los dispositivos electrónicos cada vez más, en una tendencia que, empezando en los años 60, y denominada Ley de Moore, ha llegado hoy día a dispositivos con dimensiones de 7nm que forman parte de circuitos con más de 20.000 millones de transistores en un solo chip. Para poder explicar el comportamiento de los electrones en estos dispositivos es necesario recurrir a la Nanociencia y para fabricarlos, es necesario la aplicación de herramientas nanotecnológicas, dando así lugar a la Nanoelectrónica, es decir, la aplicación de la Nanociencia y Nanotecnología a la Electrónica. La Nanoelectrónica abarca un conjunto diverso de dispositivos y materiales con la característica común de que son tan pequeños que las interacciones inter-atómicas y las propiedades cuánticas juegan un papel fundamental en el funcionamiento de estos dispositivos. A escala nanométrica, adquieren un papel fundamental mecanismos y efectos que en al macromundo apenas son perceptibles.
Líneas de investigación
- Almacenamiento y memorias. Memorias magnéticas, memorias resistivas, memorias empotradas de un solo transistor.
- Desarrollo de bio-sensores para diagnóstico precoz de cáncer y enfermedades infecciosas.
- Diagnóstico en Medicina. Biosensores.
- Dispositivos nanoelectrónicos: Spintrónica, Optoelectrónica, Displays, heteroestructuras de Van-der-Waals. Electrónica molecular.
- Dispositivos para almacenamiento y conversión de energía. Nuevas células solares basadas en materiales bidimensionales. Supercondensadores.
- Materiales nanoelectrónicos. Nuevos materiales más allá del silicio. Materiales bidimensionales, grafeno, materiales ferroeléctricos.
- Microscopía de microondas para análisis de muestras histológicas
- Wearables y electrónica flexible. Circuitos flexibles sobre textiles
Palabras clave
Biosensores, diagnóstico Precoz, biopsia líquida
CARLOS SAMPEDRO MATARIN
LUCA DONETTI
FRANCISCO JESUS GAMIZ PEREZ
CARLOS MARQUEZ GONZALEZ
CRISTINA MEDINA BAILON
SANTIAGO NAVARRO MORAL
JOSE LUIS PADILLA DE LA TORRE
3-D TCAD Study of the Implications of Channel Width and Interface States on FD-SOI Z(2)-FETs
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2019;
FI:2,704; Q2
Investigation of thin gate-stack Z(2)-FET devices as capacitor-less memory cells
SOLID-STATE ELECTRONICS, 2019;
FI:1,492; Q3
Capacitor-less dynamic random access memory based on a III-V transistor with a gate length of 14 nm
NATURE ELECTRONICS, 2019;
Multisubband Ensemble Monte Carlo Analysis of Tunneling Leakage Mechanisms in Ultrascaled FDSOI, DGSOI, and FinFET Devices
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2019;
FI:2,704; Q2
On the Low-Frequency Noise Characterization of Z(2)-FET Devices
IEEE ACCESS, 2019;
FI:4,098; Q1
Trends and Challenges for Methodology … and Changes in the Editorial Team in 2018!
METHODOLOGY-EUROPEAN JOURNAL OF RESEARCH METHODS FOR THE BEHAVIORAL AND SOCIAL SCIENCES, 2018;
FI:0,519; Q4
Redefining Responsivity in Graphene-based Schottky Diodes
2018 76TH DEVICE RESEARCH CONFERENCE (DRC), 2018;
Differential Item Functioning: Beyond validity evidence based on internal structure
PSICOTHEMA, 2018;
FI:1,516; Q2
Multi-Subband Ensemble Monte Carlo simulations of scaled GAA MOSFETs
SOLID-STATE ELECTRONICS, 2018;
FI:1,666; Q3
A review of the Z(2)-FET 1T-DRAM memory: Operation mechanisms and key parameters
SOLID-STATE ELECTRONICS, 2018;
FI:1,666; Q3
Further on ‘broadband electronically tunable reflection-based phase shifter for active-steering microwave reflectarray systems in Ku-Band’: prototype validation
JOURNAL OF ELECTROMAGNETIC WAVES AND APPLICATIONS, 2017;
FI:0,85; Q4
Ultra-low power 1T-DRAM in FDSOI technology
MICROELECTRONIC ENGINEERING, 2017;
FI:1,806; Q2
An Embedded Lightweight Folded Printed Quadrifilar Helix Antenna UAV telemetry and remote control systems
IEEE ANTENNAS AND PROPAGATION MAGAZINE, 2017;
FI:1,747; Q2
Insights on the Body Charging and Noise Generation by Impact Ionization in Fully Depleted SOI MOSFETs
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2017;
FI:2,605; Q2
Confinement orientation effects in S/D tunneling
SOLID-STATE ELECTRONICS, 2017;
FI:1,58; Q3
Capacitor-less memory: advances and challenges
2016 JOINT INTERNATIONAL EUROSOI WORKSHOP AND INTERNATIONAL CONFERENCE ON ULTIMATE INTEGRATION ON SILICON (EUROSOI-ULIS 2016), 2016;
On the influence of the back-gate bias on InGaAs Trigate MOSFETs
2016 JOINT INTERNATIONAL EUROSOI WORKSHOP AND INTERNATIONAL CONFERENCE ON ULTIMATE INTEGRATION ON SILICON (EUROSOI-ULIS 2016), 2016;
Competitive 1T-DRAM in 28 nm FDSOI Technology for Low-Power Embedded Memory
2016 IEEE SOI-3D-SUBTHRESHOLD MICROELECTRONICS TECHNOLOGY UNIFIED CONFERENCE (S3S), 2016;
Impact of Device Geometry of the Fin Electron-Hole Bilayer Tunnel FET
2016 46TH EUROPEAN SOLID-STATE DEVICE RESEARCH CONFERENCE (ESSDERC), 2016;
Electrical Characterization of Random Telegraph Noise in Back-Biased Ultrathin Silicon-On-Insulator MOSFETs
2016 JOINT INTERNATIONAL EUROSOI WORKSHOP AND INTERNATIONAL CONFERENCE ON ULTIMATE INTEGRATION ON SILICON (EUROSOI-ULIS 2016), 2016;
Performance Analysis of Different Link Layer Protocols in Wireless Sensor Networks (WSN)
WIRELESS PERSONAL COMMUNICATIONS, 2015;
FI:0,653; Q4
Two dimensional quantum mechanical simulation of low dimensional tunneling devices
SOLID-STATE ELECTRONICS, 2015;
FI:1,504; Q2
Spanish Adaptation of the Memory Characteristics Questionnaire (MCQ)
SPANISH JOURNAL OF PSYCHOLOGY, 2015;
FI:0,586; Q3
Tunability of effective masses on MoS2 monolayers
MICROELECTRONIC ENGINEERING, 2015;
FI:1,197; Q3
Measuring cooperative massive MIMO in reverberation chamber
JOURNAL OF ELECTROMAGNETIC WAVES AND APPLICATIONS, 2015;
FI:0,726; Q3
Electrodos Micromallados de Óxido de Grafeno Reducido por Láser para Dispositivos Fotovoltaicos Flexibles de Bajo Coste
Financiador: FUNDACION IBERDROLA
Número de expediente: IBERDROLA2018
Tiempo de ejecución: 01/09/2018 - 01/09/2019
IP: Electrodos Micromallados de Óxido de Grafeno Reducido por Láser para Dispositivos Fotovoltaicos Flexibles de Bajo Coste
SELFSENS – Printed SELF-power platform for gas SENSing monitoring
Financiador: Comisión Europea
Número de expediente: 794885
Tiempo de ejecución: 01/10/2018 - 30/09/2020
IP: SELFSENS – Printed SELF-power platform for gas SENSing monitoring